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8 月 10 日，苏州纳维科技研发和生产总部大楼封顶。

据悉，该项目于 2021 年 1 月 27 日奠基，项目占地面积超 14000 平方米，总建筑面积超 34000 平方米，将建设成为国际前三的氮化镓（GaN）单晶衬底研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片 5 万片。

据苏州纳维科技官网，该公司成立于 2007 年，专注于高质量氮化镓半导体单晶材料的生长，已实现 2 英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了 4 英寸产品的工程化技术开发、突破了 6 英寸的关键技术。